PDMB75B12 - KYOCERA Corporation
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Kynix Teil #: KY13-PDMB75B12
Hersteller Teil #: PDMB75B12
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: KYOCERA Corporation
Beschreibung: Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
PDMB75B12 Datenblatt
PDMB75B12 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount
NO
Number of Terminals
7
Transistor Element Material
SILICON
Part Life Cycle Code
Active
Ihs Manufacturer
KYOCERA CORP
Package Description
MODULE-7
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)
800 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
400 ns
ECCN Code
EAR99
Terminal Position
UPPER
Terminal Form
UNSPECIFIED
Reach Compliance Code
unknown
JESD-30 Code
R-XUFM-X7
Qualification Status
Not Qualified
Configuration
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection
ISOLATED
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
400 W
Collector Current-Max (IC)
75 A
Collector-Emitter Voltage-Max
1200 V
Gate-Emitter Voltage-Max
20 V
VCEsat-Max
2.4 V
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|---|
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Produktkategorie:
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Beschreibung: Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
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Menge:
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